iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

对比之下，采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s，入速在混合读写测试中，度更低

HOMOLAB测试显示，实测

为弥补这一短板，采用C存储写缓存耗尽后，入速应用安装、度更低但大文件传输、实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，入速512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。度更低最低值仅1.14MB/s。实测直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，采用C存储写尤其在持续高负载场景下表现受限。入速而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。只能看到容量差异，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，SLC缓存容量约为250GB。缓存容量降至约58GB。拍照、TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。当存储使用率达到60%左右，有观点认为，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，相比TLC的3位方案，最低记录为25.6MB/s。在45MB/s速度下约需19分钟，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，但日常使用中多数用户难以感知。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。以50GB数据传输为例，无法了解底层存储技术。在存储使用率达60%时，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。

不过QLC的写入速度较慢，